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通过电路板上的标志,可以知道电子元件是什么,比如K1是继电器,U1s是集成电路,S1是按键开关,LED是发光二极管,C是电容(标有-的是电解电容),R是电阻in是输入端,VCC是连接电源,等等。
霍尔组件可以测量磁场、电流、位移、压力、振动、速度等。
霍尔器件可以由各种半导体材料制成,例如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP和多层半导体异质结构量子阱材料。
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁性传感器。它们可用于检测磁场及其变化,可用于各种与磁场有关的场合。
霍尔元件具有结构牢固、体积小、重量轻、寿命长、安装方便、功耗低、频率高(可达1MHZ)、耐振动、不怕灰尘、油、水蒸气、盐雾的污染或腐蚀等诸多优点。
霍尔线性器件精度高,线性度好;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无反弹、位置重复精度高(达到微米水平)。霍尔元件具有多种补偿和保护措施,工作温度范围宽,可达-55℃ ~ 150℃。
操作原理
利用霍尔效应的霍尔元件半导体。
所谓霍尔效应,是指当磁场作用于载流金属导体和半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是美国物理学家霍尔在1879年发现的。当电流通过金属箔时,如果在垂直于电流的方向施加磁场,金属箔的两侧就会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔中的霍尔效应更明显,而铁磁金属在居里温度以下会表现出很强的霍尔效应。
由于通电导线周围存在磁场,其大小与导线中的电流成正比,所以可以用霍尔元件测量磁场,从而确定导线的电流。利用这一原理,可以设计和制造霍尔电流传感器。其优点是不与被测电路发生电接触,不影响被测电路,不消耗被测电源的电能,特别适用于大电流传感。
如果将霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中,元件中会产生电流I,元件上同时产生的霍尔电势差与电场强度E成正比,如果再测量电磁场的磁场强度,就可以通过PEH确定电磁场功率密度的瞬时值p。
用这种方法可以构造霍尔功率传感器。
如果将集成有霍尔元件的开关按预定位置有规律地布置在物体上,当安装在运动物体上的永磁体通过它时,可以从测量电路测量到脉冲信号。根据脉冲信号序列可以感测移动物体的位置。动起来。如果测量每单位时间的脉冲数,就可以确定移动速度。
组件特征
1.霍尔系数(也称为霍尔常数)RH。
当磁场不太强时,霍尔电位差UH与励磁电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔板的厚度δ成反比,即UH RH*I*B/δ,其中RH称为霍尔系数,表示霍尔效应的强弱。另外,RHμ*ρ,即霍尔常数,等于霍尔板材料的电阻率ρ和电子迁移率μ的乘积。
2.霍尔灵敏度KH(也称为霍尔产品灵敏度)
霍尔灵敏度与霍尔系数成正比,与霍尔板厚度δ成反比,即KHRH/δ,通常可以表征霍尔常数。
3.霍尔额定励磁电流
当霍尔元件本身的温度上升10℃时,流过的励磁电流称为额定励磁电流。
4.霍尔最大允许励磁电流
霍尔元件最大允许温升极限对应的励磁电流称为最大允许励磁电流。
5.霍尔输入电阻
霍尔激励电极之间的电阻称为输入电阻。
6.霍尔输出电阻
霍尔输出电极之间的电阻称为输出电阻。
7.霍尔元件电阻的温度系数
在无磁场条件下,环境温度每变化1℃,电阻的相对变化率表示为α,单位为%/℃。
8.霍尔不等电位(也称为霍尔偏移零点)
当没有外加磁场,霍尔励磁电流为I时,空载时输出端测得的霍尔电位差称为不等电位。
9.霍尔输出电压
当外加磁场和霍尔激励电流为I时,空载时在输出端测得的霍尔电位差称为霍尔输出电压。
10.霍尔电压输出比
霍尔不等电势与霍尔输出电势之比
11.霍尔寄生DC电势
当外加磁场为零,霍尔元件被交流激励时,霍尔电极输出的不仅是交流不等电势,还有DC电势,称为寄生DC电势。
12.霍尔不等势
当没有外加磁场,霍尔励磁电流为I时,环境温度每变化1℃,不等电位的相对变化率为。
13、霍尔电位温度系数
当外加磁场和霍尔励磁电流为I时,环境温度每变化1℃,不等电势的相对变化率为。也是霍尔系数的温度系数。
14、热阻Rth
霍尔元件功耗增加1W时,霍尔元件的温度值称为其热阻,反映了元件散热的难易程度。
单位:摄氏度/瓦
无刷电机霍尔传感器AH44:霍尔线性器件和霍尔开关器件。。前者输出模拟量,后者输出数字量。
根据检测对象的性质,它们的应用可以分为:直接应用和间接应用。前者是直接检测被检测物体的磁场或磁特性,后者是检测被检测物体上人为设置的磁场,并将这个磁场作为被检测信息的载体。通过它将力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转速、转速、工作状态变化时的时间等许多非电非磁的物理量转换成电量进行检测和探测。
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